量子點CMOS

與可見光面陣相機相比，SWIR光子被對象反射或吸收，從而提供了高分辨率成像所需的強烈對比度。雖然LWIR成像儀會發(fā)出更模糊的熱圖像，但SWIR成像儀可提供高分辨率圖像；與可見光相機不同的是紅外相機具有很強的穿透性，常用于電子板檢查、太陽能電池檢查、產(chǎn)品檢查、識別和分類、監(jiān)視、防偽、過程質(zhì)量控制、塑料包裝檢測、玻璃塑性檢測、監(jiān)視系統(tǒng)以及醫(yī)學成像。它們還用于移動電話面部識別傳感器和環(huán)境模糊的自動車輛成像中。

InGaAs材料在900nm-1700nm具有很高的靈敏度，相比于其他的探測器，它不需要低溫冷卻，而且小型化。目前市場上大部分紅外相機都是用該材料，光譜范圍可拓寬至400nm-1700nm。

CQD（CMOS Quantum Dot） 一種加入PbS（硫化鉛）量子點薄膜層，與傳統(tǒng)硅基CMOS不同，CQD相機就相當于在CMOS前面添加了一層薄膜，對薄膜施加一定的電場或者光壓，它就會發(fā)出特定頻率的光，當量子點吸收光子時，它會生成一個電子空穴對，這些電子空穴對會重組以發(fā)射新的光子。至關(guān)重要的是，這種發(fā)射的光子的顏色取決于量子點的大?。焊蟮狞c發(fā)射的波長更長，接近紅色（620至750 nm）。較小的點發(fā)出較短的波長，更靠近光譜的紫色末端（380至450 nm）。這種“可調(diào)性”是量子點所擁有的。在其他發(fā)光材料中，發(fā)射的光子的波長是該材料的固定屬性，不受其尺寸的影響。

1nm的量子點，吸收藍色光之后，激發(fā)出波長為500nm的光；2nm的量子點，吸收藍色光之后，激發(fā)出波長為560nm的光；3nm的量子點，吸收藍色光之后，激發(fā)出波長為630nm的光，因此只要控制好量子點的尺寸，理論上發(fā)出的光就可以覆蓋整個可見光區(qū)域。

新型紅外相機，就是利用CQD這一特性，通過量子點薄膜層的紅外光，會激發(fā)出特定可見波長的光，然后再利用硅基CMOS接收可見波長，來進行圖像分析。理論上CQD相機能覆蓋400nm-1700nm的區(qū)域，且綜合量子效率大于15% 。

當前的SWIR成像市場以砷化銦鎵（InGaAs）傳感器為主導，InGaAs是在晶格匹配的磷化銦（InP）襯底上外延生長的化合物半導體。該制造方法對像素尺寸、像素間距和傳感器分辨率施加了限制。商業(yè)上使用的InGaAs SWIR攝像機限于VGA分辨率，對于大多數(shù)機器視覺應用而言，即使如此，也被認為價格過于昂貴。

CQD傳感器技術(shù)采用單片集成方法，其中，基于量子點的傳感器使用成熟的低成本半導體沉積技術(shù)直接制造到CMOS讀出集成電路（ROIC）上。該工藝不需要雜交，不需要外延生長或奇異的襯底材料，并且可以很容易地按比例放大到晶圓級制造。采用固溶處理的膠體量子點，以形成對SWIR和可見光譜帶均敏感的光電二極管陣列。

相同像素的紅外相機，CQD相機價格便宜接近一半，且基本不受出口限制。

【來源：光虎光學內(nèi)部培訓資料】